US6X3TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

US6X3TR概述

TUMT NPN 12V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 12V 3A 360MHz 400mW Surface Mount TUMT6

得捷:
TRANS NPN 12V 3A TUMT6

艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 3A 6-Pin TUMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 3A 6-Pin TUMT T/R

US6X3TR中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.4 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 270 @500mA, 2V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UMT-6

外形尺寸

封装 UMT-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US6X3TR

型号： US6X3TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：TUMT NPN 12V 3A