UNR521WG0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR521WG0L概述

SSMini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSMini3-G1

UNR521WG0L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR521WG0L

型号： UNR521WG0L

描述：SSMini3-G1 NPN 50V 100mA