UNR32ATG0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR32ATG0L概述

SSSMini3-F1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 100mW Surface Mount SSSMini3-F1

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSSMini3-F1

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3

UNR32ATG0L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSSMini3-F1

外形尺寸

封装 SSSMini3-F1

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

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型号： UNR32ATG0L

描述：SSSMini3-F1 NPN 50V 100mA