UNR511TG0L

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UNR511TG0L概述

SMini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMini3-G1


UNR511TG0L中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR511TG0L
型号: UNR511TG0L
制造商: Panasonic 松下
描述:SMini3-G1 PNP 50V 100mA
替代型号UNR511TG0L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Panasonic 松下

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