UNR211M00L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR211M00L概述

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

UNR211M00L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买UNR211M00L

型号： UNR211M00L

描述：Mini3-G1 PNP 50V 100mA

替代型号UNR211M00L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UNR211M00L Panasonic 松下	当前型号	当前型号
FJV4113RMTF 飞兆/仙童	功能相似	UNR211M00L和FJV4113RMTF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UNR211M00L

Panasonic 松下

当前型号

FJV4113RMTF

飞兆/仙童

功能相似