UNR511100L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR511100L概述

SMini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

UNR511100L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR511100L

型号： UNR511100L

描述：SMini3-G1 PNP 50V 100mA

替代型号UNR511100L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UNR511100L Panasonic 松下	当前型号	当前型号
SMUN2111T1G 安森美	功能相似	UNR511100L和SMUN2111T1G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UNR511100L

Panasonic 松下

当前型号

SMUN2111T1G

安森美

功能相似