UNR222100L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR222100L概述

Mini3-G1 NPN 50V 500mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型迷你型3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount Mini3-G1

UNR222100L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR222100L

型号： UNR222100L

描述：Mini3-G1 NPN 50V 500mA

替代型号UNR222100L

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UNR222100L

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当前型号

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