UNR521200L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR521200L概述

SMini3-G1 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

UNR521200L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR521200L

型号： UNR521200L

描述：SMini3-G1 NPN 50V 100mA

替代型号UNR521200L

型号/品牌

代替类型

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