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UNR411F00A概述

NS-B1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

UNR411F00A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 10V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 NS-B1

外形尺寸

封装 NS-B1

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买UNR411F00A

型号： UNR411F00A

制造商： Panasonic 松下

描述：NS-B1 PNP 50V 100mA