ULN2003AIDRE4参数规格_中文资料_数据手册PDF

ULN2003AIDRE4概述

高电压，大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

Bipolar BJT Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC

得捷:
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC

立创商城:
ULN2003AIDRE4

贸泽:
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

艾睿:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R

Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AIDRE4 Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

ULN2003AIDRE4中文资料参数规格

技术参数

输出接口数 7

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

驱动器/包 7

集电极最大允许电流 0.5A

输出电流Max 500 mA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

ULN2003AIDRE4引脚图与封装图

在线购买ULN2003AIDRE4

型号： ULN2003AIDRE4

描述：高电压，大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

替代型号ULN2003AIDRE4