UNR911HG0L

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UNR911HG0L概述

特点•内置电阻晶体管 •硅PNP外延刨床晶..

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -100MA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 0.22 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 30 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 150mhz 耗散功率Pc Power dissipation | 125MW 描述与应用 Description & Applications |


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3


UNR911HG0L中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 10V

额定功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-490

外形尺寸

封装 SOT-490

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR911HG0L
型号: UNR911HG0L
制造商: Panasonic 松下
描述:特点•内置电阻晶体管 •硅PNP外延刨床晶..

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