


















ROHM UMT1NTN 双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88
双重双极性,ROHM
每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。
得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
欧时:
ROHM UMT1NTN, 双 PNP 晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 140 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
立创商城:
2个PNP 50V 150mA
e络盟:
双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin UMT T/R
富昌:
UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin UMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R
Newark:
# ROHM UMT1NTN Bipolar Transistor Array, Hybrid, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-88
儒卓力:
**PNP/PNP DUAL-TRANS. 50V UMT6 **
力源芯城:
-50V,-150mA,双PNP通用双极晶体管
Win Source:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
频率 140 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMT1NTN ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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