UMT1NTN

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UMT1NTN概述

ROHM  UMT1NTN  双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88

双重双极性,ROHM

每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。


得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT


欧时:
ROHM UMT1NTN, 双 PNP 晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 140 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


立创商城:
2个PNP 50V 150mA


e络盟:
双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin UMT T/R


富昌:
UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin UMT T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin UMT T/R


Newark:
# ROHM  UMT1NTN  Bipolar Transistor Array, Hybrid, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-88


儒卓力:
**PNP/PNP DUAL-TRANS. 50V UMT6 **


力源芯城:
-50V,-150mA,双PNP通用双极晶体管


Win Source:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT


DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-363


UMT1NTN中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -150 mA

额定功率 0.15 W

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 150 mW

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UMT1NTN引脚图与封装图
UMT1NTN引脚图
UMT1NTN封装图
UMT1NTN封装焊盘图
在线购买UMT1NTN
型号: UMT1NTN
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  UMT1NTN  双极晶体管阵列, 混合式, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88
替代型号UMT1NTN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMT1NTN

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

UMT1N-TP

美微科

类似代替

UMT1NTN和UMT1N-TP的区别

UMT1NTR

罗姆半导体

类似代替

UMT1NTN和UMT1NTR的区别

SMBT3906S

英飞凌

功能相似

UMT1NTN和SMBT3906S的区别

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