SOT-363 PNP 50V 0.15A
- 双极 BJT - 阵列 2 PNP（双） 50V 150mA 140MHz 150mW 表面贴装型 SOT-363
得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A SOT363
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT -50V -150mA 150mW
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SOT-363 T/R
DeviceMart:
TRANS ARRAY PNP DUAL 50V SOT363
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMT1N-TP Micro Commercial Components 美微科 | 当前型号 | 当前型号 |
UMT1NTN 罗姆半导体 | 类似代替 | UMT1N-TP和UMT1NTN的区别 |
SMBT3906S 英飞凌 | 功能相似 | UMT1N-TP和SMBT3906S的区别 |
FFB3906 安森美 | 功能相似 | UMT1N-TP和FFB3906的区别 |