互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor
- 双极 BJT - 阵列 NPN，PNP 50V 200mA 114MHz，142MHz 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 60V Dual
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
极性 PNP
耗散功率 187 mW
集电极击穿电压 50.0 V
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMZ1NT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
UMZ1NT1G 安森美 | 类似代替 | UMZ1NT1和UMZ1NT1G的区别 |