TUMT PNP 30V 1A
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 30V 1A 320MHz 400mW Surface Mount UMT6
得捷:
TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW 6-Pin TUMT T/R
频率 320 MHz
额定功率 0.4 W
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 320 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 TSSOP-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
US6T9TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |