UP01214G0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UP01214G0L概述

SSMini5-F2 NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin SSMini5-F2

Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5

UP01214G0L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 125 mW

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-665

外形尺寸

封装 SOT-665

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买UP01214G0L

型号： UP01214G0L

描述：SSMini5-F2 NPN 50V 100mA