UMH1N-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

UMH1N-TP概述

SOT-363 NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 SOT-363

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 22KOhms 250MHz

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363

UMH1N-TP中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UMH1N-TP

型号： UMH1N-TP

描述：SOT-363 NPN 50V 100mA

替代型号UMH1N-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UMH1N-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
UMH1NTN 罗姆半导体	类似代替	UMH1N-TP和UMH1NTN的区别
DDC124EU-7 美台	功能相似	UMH1N-TP和DDC124EU-7的区别
UMH1N 罗姆半导体	功能相似	UMH1N-TP和UMH1N的区别