UP04111G0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UP04111G0L概述

SSMini6-F1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SSMini6-F1

UP04111G0L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买UP04111G0L

型号： UP04111G0L

描述：SSMini6-F1 PNP 50V 100mA