双数字三极管,PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 4.7 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Design
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMB3NTN ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMB3AT110 罗姆半导体 | 类似代替 | UMB3NTN和IMB3AT110的区别 |
DDA143TU-7 美台 | 功能相似 | UMB3NTN和DDA143TU-7的区别 |
IMB4AT110 罗姆半导体 | 功能相似 | UMB3NTN和IMB4AT110的区别 |