UMT NPN+PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
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UMD5NTR
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Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
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**PNP/NPN DIGIT. 47K/47K 50V UMT6 **
Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
额定功率 0.15 W
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68
额定功率Max 150mW, 120mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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