












ROHM UMD12NTR 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
立创商城:
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin UMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
Newark:
# ROHM UMD12NTR Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363
儒卓力:
**NPN/NPN DIGIT. 47K/47K 50V UMT6 **
力源芯城:
50V,30mA,NPN/PNP复合晶体管
Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
额定电流 30.0 mA
额定功率 0.15 W
通道数 2
极性 NPN, PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 68
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMD12NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5313DW1T1G 安森美 | 功能相似 | UMD12NTR和MUN5313DW1T1G的区别 |