UMD12NTR

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UMD12NTR概述

ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6


立创商城:
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


Newark:
# ROHM  UMD12NTR  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363


儒卓力:
**NPN/NPN DIGIT. 47K/47K 50V UMT6 **


力源芯城:
50V,30mA,NPN/PNP复合晶体管


Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6


UMD12NTR中文资料参数规格
技术参数

额定电流 30.0 mA

额定功率 0.15 W

通道数 2

极性 NPN, PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 68

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UMD12NTR引脚图与封装图
UMD12NTR引脚图
UMD12NTR封装图
UMD12NTR封装焊盘图
在线购买UMD12NTR
型号: UMD12NTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  UMD12NTR  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363
替代型号UMD12NTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMD12NTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

MUN5313DW1T1G

安森美

功能相似

UMD12NTR和MUN5313DW1T1G的区别

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