UMH11NTN

UMH11NTN图片1
UMH11NTN图片2
UMH11NTN图片3
UMH11NTN图片4
UMH11NTN图片5
UMH11NTN图片6
UMH11NTN图片7
UMH11NTN图片8
UMH11NTN图片9
UMH11NTN概述

NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6


立创商城:
UMH11NTN


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6


UMH11NTN中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UMH11NTN引脚图与封装图
UMH11NTN引脚图
UMH11NTN封装图
UMH11NTN封装焊盘图
在线购买UMH11NTN
型号: UMH11NTN
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors
替代型号UMH11NTN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMH11NTN

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

PUMH11,115

恩智浦

功能相似

UMH11NTN和PUMH11,115的区别

BCR133SH6327XTSA1

英飞凌

功能相似

UMH11NTN和BCR133SH6327XTSA1的区别

BCR133SH6433XTMA1

英飞凌

功能相似

UMH11NTN和BCR133SH6433XTMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台