UMB1NTN概述
UMT PNP 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA - 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin UMT T/R
儒卓力:
**PNP/PNP DIGITAL 22K/22K 50V 0,1 **
Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
UMB1NTN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买UMB1NTN