UMT NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT5
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
立创商城:
UMG11NTR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
安富利:
Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillattors, driver ICs and so forth.
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin UMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 5-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TSSOP-5
封装 TSSOP-5
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMG11NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
EMG11T2R 罗姆半导体 | 完全替代 | UMG11NTR和EMG11T2R的区别 |
EMG8T2R 罗姆半导体 | 类似代替 | UMG11NTR和EMG8T2R的区别 |
RN1506TE85L 东芝 | 类似代替 | UMG11NTR和RN1506TE85L的区别 |