PNP -100mA -50V复杂的数字晶体管 PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMB4NTN ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114YKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | UMB4NTN和DTC114YKAT146的区别 |
BC856B-7-F 美台 | 功能相似 | UMB4NTN和BC856B-7-F的区别 |
SSTA28T116 罗姆半导体 | 功能相似 | UMB4NTN和SSTA28T116的区别 |