NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMH14NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMH4AT110 罗姆半导体 | 类似代替 | UMH14NTR和IMH4AT110的区别 |
UMH8NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | UMH14NTR和UMH8NTR的区别 |