UMT NPN+PNP 12V 100mA/500mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/DTR BIP 12V .5A
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/500mA 6-Pin UMT T/R
Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -500 mA
通道数 2
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50V, 12V
集电极最大允许电流 100mA/500mA
最小电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
UMF21NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UMF23NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | UMF21NTR和UMF23NTR的区别 |
EMD29T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | UMF21NTR和EMD29T2R的区别 |
DCX100NS-7 美台 | 功能相似 | UMF21NTR和DCX100NS-7的区别 |