UMF8NTR

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UMF8NTR概述

UMT NPN 12V 500mA/100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 15V 100mA, 500mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6


得捷:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6


安富利:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA/100mA 6-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA/100mA 6-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6


UMF8NTR中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN, PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 15V

集电极最大允许电流 500mA/100mA

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买UMF8NTR
型号: UMF8NTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:UMT NPN 12V 500mA/100mA
替代型号UMF8NTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UMF8NTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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