UMA4NT1G

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UMA4NT1G概述

双共发射极偏置电阻晶体管 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA - 150mW 表面贴装型 SC-88A(SC-70-5/SOT-353)


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN


UMA4NT1G中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-5

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UMA4NT1G
型号: UMA4NT1G
描述:双共发射极偏置电阻晶体管 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistors
替代型号UMA4NT1G
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UMA4NT1G

ON Semiconductor 安森美

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UMA4NT1

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UMA4NT1G和UMA4NT1的区别

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