US5U35TR概述
P-Channel + Schottky Barrier Diode 1W -45V 1.4Ω SMT 4V Drive MosFet-TUMT-5
P-Channel 45V 700mA Ta 1W Ta Surface Mount TUMT5
得捷:
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 25V 0.7A 5-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.7A 5-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 25V 0.7A 5-Pin TUMT T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Win Source:
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
US5U35TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.7 W
漏源极电压Vds 45 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 120pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-353-5
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-353-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买US5U35TR
型号： US5U35TR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：P-Channel + Schottky Barrier Diode 1W -45V 1.4Ω SMT 4V Drive MosFet-TUMT-5