US5U3TR

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US5U3TR概述

2.5V驱动MOSFET NchSBD 2.5V Drive NchSBD MOSFET

表面贴装型 N 通道 30 V 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT5


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5


US5U3TR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.7 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 80pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TUMT-5

外形尺寸

封装 TUMT-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

US5U3TR引脚图与封装图
US5U3TR引脚图
US5U3TR封装图
US5U3TR封装焊盘图
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型号: US5U3TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:2.5V驱动MOSFET NchSBD 2.5V Drive NchSBD MOSFET

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