US5U29TR

US5U29TR图片1
US5U29TR概述

TSMT P-CH 20V 1A

表面贴装型 P 通道 20 V 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5


得捷:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 5-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5


US5U29TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -1.00 A

漏源极电阻 570 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 150pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 10 ns

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TUMT-5

外形尺寸

封装 TUMT-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US5U29TR
型号: US5U29TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TSMT P-CH 20V 1A

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