UPA2812T1L-E1-AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

UPA2812T1L-E1-AT概述

Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8Pin HVSON T/R

P-Channel 30V 30A Tc 1.5W Ta, 52W Tc Surface Mount 8-HVSON 3x3.3

得捷:
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8-Pin HVSON T/R

UPA2812T1L-E1-AT中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 52W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 3740pF @10VVds

下降时间 252 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HVSON-8

外形尺寸

封装 HVSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买UPA2812T1L-E1-AT

型号： UPA2812T1L-E1-AT

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET P-CH 30V 30A 8Pin HVSON T/R