ROHM UM6K1NTN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 100mA 150mW 表面贴装型 UMT6
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
立创商城:
2个N沟道 30V 100mA
贸泽:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
e络盟:
ROHM UM6K1NTN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin UMT T/R
儒卓力:
**N+N CHANNEL-FET 0,1A 30V UMT6 **
力源芯城:
30V,0.1A双N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 6
漏源极电阻 8 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UM6K1NTN ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UM6K1N-TP 美微科 | 功能相似 | UM6K1NTN和UM6K1N-TP的区别 |