US6K4TR

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US6K4TR概述

1.8V驱动MOSFET NchNch 1.8V Drive NchNch MOSFET

US6K4 Series 20 V 1.5 A 180 mOhm Surface Mount Dual N-Channel Mosfet - TUMT-6


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6


立创商城:
2个N沟道 20V 1.5A


贸泽:
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


儒卓力:
**N+N CHAN.FET+ESD 1,5A 20V TUMT6 **


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6


US6K4TR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

US6K4TR引脚图与封装图
US6K4TR引脚图
US6K4TR封装图
US6K4TR封装焊盘图
在线购买US6K4TR
型号: US6K4TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:1.8V驱动MOSFET NchNch 1.8V Drive NchNch MOSFET

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