N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V,20V 1.4A,1A 1W 表面贴装型 TUMT6
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
贸泽:
MOSFET N+P 30 20V 1A
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 1 A, 0.38 ohm, TUMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R
DeviceMart:
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
额定电流 1.40 A
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30V, 20V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 1.40 A, 1.00 A
上升时间 6.00 ns
输入电容Ciss 70pF @10VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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US6M1TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
US6K2TR 罗姆半导体 | 功能相似 | US6M1TR和US6K2TR的区别 |