US6M1TR

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US6M1TR概述

N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V,20V 1.4A,1A 1W 表面贴装型 TUMT6


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6


贸泽:
MOSFET N+P 30 20V 1A


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 1 A, 0.38 ohm, TUMT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.4A/1A 6-Pin TUMT T/R


DeviceMart:
MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6


US6M1TR中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.40 A

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 170 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30V, 20V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 1.40 A, 1.00 A

上升时间 6.00 ns

输入电容Ciss 70pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

US6M1TR引脚图与封装图
US6M1TR引脚图
US6M1TR封装图
US6M1TR封装焊盘图
在线购买US6M1TR
型号: US6M1TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:N-沟道 + P-沟道 2 W 30 V/-20 V 280 mOhm 表面贴装 4 + 2.5 V 驱动 MosFet -TUMT-6
替代型号US6M1TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

US6M1TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

US6K2TR

罗姆半导体

功能相似

US6M1TR和US6K2TR的区别

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