P 沟道 1 W 12 V 260 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - TUMT-6
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 1.3A 320mW 表面贴装型 TUMT6
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通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 190 mΩ
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 1.3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 290pF @6VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 320 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
