N-沟道 30 V 340 mΩ 1 W 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-6
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 1.5A 1W 表面贴装型 TUMT6
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MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
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2个N沟道 30V 1.5A
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双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 1.5 A, 0.34 ohm, TUMT, 表面安装
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Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 6-Pin TUMT T/R
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双 N-沟道 30 V 340 mΩ 1 W 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-6
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MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 80pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TUMT-6
封装 TUMT-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
