30V,1.4A,双N沟道MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 1.4A 1W Surface Mount TUMT6
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
立创商城:
2个N沟道 30V 1.4A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.4A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin TUMT T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 1.4A 6-Pin TUMT T/R
力源芯城:
30V,1.4A,双N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.40 A
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
输入电容 70 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 70pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 8 ns
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
封装 SMD-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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US6K2TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
US6M1TR 罗姆半导体 | 功能相似 | US6K2TR和US6M1TR的区别 |