UML23NTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

UML23NTR概述

NPN General Purpose Amplification Transistor \\+ Zener Diode

Bipolar BJT Transistor Array NPN + Zener Diode Isolated 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount UMT6

得捷:
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO

贸泽:
ROHM Semiconductor

艾睿:
Power Supply Monitor Device 6-Pin UMT T/R

Chip1Stop:
Power Supply Monitor Devices 6-Pin UMT T/R

UML23NTR中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 VSSOP-6

外形尺寸

封装 VSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

UML23NTR引脚图与封装图

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型号： UML23NTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN General Purpose Amplification Transistor \\+ Zener Diode