UMT18NTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

UMT18NTR概述

UMT PNP 12V 0.5A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount UMT6

得捷:
PNP+PNP LOW VCESAT TRANSISTOR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin UMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin UMT T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin UMT T/R

UMT18NTR中文资料参数规格

技术参数

频率 260 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 VSSOP-6

外形尺寸

封装 VSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

UMT18NTR引脚图与封装图

在线购买UMT18NTR

型号： UMT18NTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：UMT PNP 12V 0.5A

替代型号UMT18NTR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UMT18NTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
EMT18T2R 罗姆半导体	完全替代	UMT18NTR和EMT18T2R的区别
IMT18T110 罗姆半导体	功能相似	UMT18NTR和IMT18T110的区别
4-192044-1 泰科	功能相似	UMT18NTR和4-192044-1的区别