US6X7TR

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US6X7TR概述

TUMT NPN 12V 1.5A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 12V 1.5A 400MHz 400mW Surface Mount TUMT6


得捷:
NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 1000mW 6-Pin TUMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 6-Pin TUMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 1000mW 6-Pin TUMT T/R


US6X7TR中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 270 @200mA, 2V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

US6X7TR引脚图与封装图
US6X7TR引脚图
US6X7TR封装图
US6X7TR封装焊盘图
在线购买US6X7TR
型号: US6X7TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TUMT NPN 12V 1.5A
替代型号US6X7TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

US6X7TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

QSX7TR

罗姆半导体

功能相似

US6X7TR和QSX7TR的区别

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