US6X8TR

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US6X8TR概述

TUMT NPN 30V 1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 30V 1A 320MHz 400mW Surface Mount TUMT6


立创商城:
US6X8TR


得捷:
NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 6-Pin TUMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 6-Pin TUMT T/R


US6X8TR中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 270 @100mA, 2V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US6X8TR
型号: US6X8TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TUMT NPN 30V 1A
替代型号US6X8TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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