UNR211L00L参数规格_中文资料_数据手册PDF

UNR211L00L概述

Mini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin Mini3-G1

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

UNR211L00L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UNR211L00L

型号： UNR211L00L

描述：Mini3-G1 PNP 50V 100mA

替代型号UNR211L00L

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

UNR211L00L

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当前型号

PDTA143ET,215

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