UMB10N

UMB10N图片1
UMB10N中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP+PNP

击穿电压集电极-发射极 -50V

集电极最大允许电流 -0.1A

封装参数

封装 UMT

外形尺寸

封装 UMT

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UMB10N
型号: UMB10N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:通用(双数字晶体管) General purpose dual digital transistors

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台