UGB10DCTHE3/45

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UGB10DCTHE3/45概述

Rectifiers 10A 200V 20ns Dual 55A IFSM

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery times

• Soft recovery characteristics

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C for TO-263AB package

• Solder dip 260 °C, 40 s for TO-220AB and ITO-220AB package

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC


得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO263AB


安富利:
Diode Switching 200V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube


UGB10DCTHE3/45中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @5A

反向恢复时间 25 ns

正向电压Max 1.1V @5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UGB10DCTHE3/45
型号: UGB10DCTHE3/45
描述:Rectifiers 10A 200V 20ns Dual 55A IFSM
替代型号UGB10DCTHE3/45
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UGB10DCTHE3/45

Vishay Semiconductor 威世

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UGB10DCTHE3/81

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完全替代

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