UMB3NFHATN概述
ROHM UMB3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, SOT-363 新
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
得捷:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR WITH
贸泽:
ROHM Semiconductor
e络盟:
ROHM UMB3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, SOT-363
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
Newark:
# ROHM UMB3NFHATN TRANS, PNP, AECQ101, 4.7K, SOT-363
UMB3NFHATN中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
UMB3NFHATN引脚图与封装图 
在线购买UMB3NFHATN
型号： UMB3NFHATN
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM UMB3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, SOT-363 新