UMB10NFHATN

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UMB10NFHATN概述

ROHM  UMB10NFHATN  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-353 新

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Pre-Biased Dual 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6


欧时:
PNP+PNP Digital transistor


得捷:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR CORR


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率


Newark:
# ROHM  UMB10NFHATN  TRANS, PNP, AECQ101, 2.2K/47K, SOT-353


UMB10NFHATN中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

UMB10NFHATN引脚图与封装图
UMB10NFHATN引脚图
UMB10NFHATN封装图
UMB10NFHATN封装焊盘图
在线购买UMB10NFHATN
型号: UMB10NFHATN
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  UMB10NFHATN  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-353 新

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