UMB4NFHATN参数规格_中文资料_数据手册PDF

UMB4NFHATN概述

ROHM UMB4NFHATN 晶体管双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, SOT-353 新

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP 预偏压（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT6

得捷:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR CORR

贸泽:
ROHM Semiconductor

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, PNP, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R

Newark:
# ROHM UMB4NFHATN TRANS, PNP, AECQ101, 10K, SOT-353

UMB4NFHATN中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

UMB4NFHATN引脚图与封装图

在线购买UMB4NFHATN

型号： UMB4NFHATN

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM UMB4NFHATN 晶体管双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, SOT-353 新