UMG5N

UMG5N图片1
UMG5N中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: UMG5N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

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